AI智能体发现两种室温磁性半导体候选材料

一个AI智能体团队通过密度泛函理论计算，提出两种Luttinger补偿磁性半导体候选材料。其一是全新设计的YBaMnFeO₅，预测带隙2.35 eV，空穴自旋窗口1.0 eV、电子自旋窗口1.4 eV；另一种是1999年首次合成的已知材料KV[Cr(CN)₆]，计算预测其具备目标性质。 上述结果来自计算预测，而非实验验证。研究者称已将输入文件、原始输出、分析代码、一键校验脚本、独立复算结果及已知注意事项发布在GitHub公开仓库中。

AI 根据报道生成 · 11 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。