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MemSilicon 完成国际首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片

MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

AI 导读

铭芯启睿(MemSilicon)宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号(MountTai 2026)”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构,单芯片容量 1Gb,密度达 30Mb/mm²,访问延时小于 20ns,并集成片上硬件纠错电路。目前芯片已完成流片,正在推进验证。

来源:量子位 · qbitai.com